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参数资料
| 型号： | IXFH74N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
IXFH/IXFT 68N20
IXFH/IXFT 74N20
V DSS I D25 R DS(on)
200 V 68 A 35 m W
200 V 74 A 30 m W
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
200
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
Transient
200
± 20
± 30
V
V
V
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
68N20
74N20
68N20
74N20
68N20
74N20
68
74
272
296
68
74
45
5
360
A
A
A
A
A
A
mJ
V/ns
W
TO-268 (D3) ( IXFT)
G
S
G = Gate, D = Drain,
S = Source, TAB = Drain
Features
(TAB)
? Low R DS (on) HDMOS TM process
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Mounting torque
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
300 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
6 g
? International standard packages
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
V DSS
V GS(th)
I GSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
200 V
2 4 V
± 100 nA
?
?
?
?
?
?
?
?
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
Temperature and lighting controls
Low voltage relays
I DSS
R DS(on)
V DS = 0.8 ? V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 74N20
68N20
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
200
1
30
35
m A
mA
m W
m W
Advantages
? Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
? High power surface package
? High power density
? 2000 IXYS All rights reserved
97522C (8/00)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH75N10Q | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
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| IXFH76N07-11 | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH75N10Q | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH76N06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD |
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