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参数资料
| 型号： | IXFH74N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 68N20 IXFH 74N20
IXFT 68N20 IXFT 74N20
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
35
45
S
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 W (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
5400
1160
560
40
55
120
26
280
39
135
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1 2 3
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
R thJC 0.35 K/W
R thCK (TO-247 Package) 0.25 K/W
IXFH68N20 & IXFH74N80 characteristic curves can be found in the IXFK72N20/
IXFK80N20 data sheet.
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
68N20
74N20
68N20
74N20
68
74
272
296
A
A
A
A
TO-268 Outline
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
I F = 25A
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
0.85
8
1.5
200
V
ns
m C
A
Min Recommended Footprint
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH75N10Q | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH76N07-11 | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
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| IXFH7N90Q | MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH75N10Q | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH76N06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD |
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