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参数资料
| 型号： | IXFH42N60P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 42A TO247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar3™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH42N60P3
45
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
80
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
40
35
30
V GS = 10V
7V
6V
70
60
V GS = 10V
7V
50
25
40
20
15
30
6V
10
20
5
0
5V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
30
45
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 21A Value vs.
Junction Temperature
40
35
V GS = 10V
7V
6V
3.0
2.6
V GS = 10V
I D = 42A
30
2.2
25
20
1.8
I D = 21A
15
10
5
0
5V
4V
1.4
1.0
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 21A Value vs.
Drain Current
45
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
40
35
30
2.2
25
1.8
20
1.4
T J = 25oC
15
10
1.0
5
0.6
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| IXFH60N20 | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 |
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| IXFH6N120 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFH44N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH450 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH48N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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