- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18670 > IXFH58N20 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH58N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
IXFH/IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
42N20
R DS(on)
50N20
58N20
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
Min.
Characteristic Values
Typ. Max.
0.060 W
0.045 W
0.040 W
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
20
32
4400
800
285
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 1 W (External)
18
15
72
25
20
90
ns
ns
ns
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
t f
Q g(on)
16
190
25
220
ns
nC
B
C
D
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
35
95
50
110
nC
nC
E
F
4.32 5.49
5.4 6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
R thJC
R thCK
(TO-247 and TO-204 Case styles)
0.25
0.42 K/W
K/W
G
H
J
1.65 2.13
- 4.5
1.0 1.4
0.065 0.084
- 0.177
0.040 0.055
K
10.8 11.0
0.426 0.433
L
4.7
5.3
0.185 0.209
Source-Drain Diode
Characteristic Values
M
0.4
0.8
0.016 0.031
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
N
1.5 2.49
0.087 0.102
Symbol
Test Conditions
Min. Typ.
Max.
I S
V GS = 0 V
42N20
42
A
TO-204 AE (IXFM) Outline
50N20
58N20
50
58
A
A
I SM
Repetitive;
pulse width limited by T JM
42N20
50N20
58N20
168
200
232
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A,
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.5
2.6
19
23
200
300
ns
ns
m C
m C
A
A
Dim.
A
B
C
Millimeter
Min. Max.
38.61 39.12
- 22.22
6.40 11.40
Inches
Min. Max.
1.520 1.540
- 0.875
0.252 0.449
D
E
1.45 1.60
1.52 3.43
0.057 0.063
0.060 0.135
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
A
A 1
A 2
b
b 2
Millimeter
Min. Max.
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
Inches
Min. Max.
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
F
G
H
J
K
Q
R
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 26.66
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.050
C
.4 .65
.016 .026
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
Min. Recommended Footprint
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XREWHT-L1-0000-006B1 | LED NEUTRAL WHITE 7X9MM SMD |
| XPGWHT-L1-0000-00FF4 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-L1-0000-00FE5 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-L1-0000-00FE4 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
| XPGWHT-L1-0000-00FE3 | LED XLAMP WHITE 1000MA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH58N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH58N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH5N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH5N100P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。