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参数资料
| 型号： | IXFH58N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 29A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH/IXFM42N20
IXFH/IXFM50N20
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
14 V DS = 100V
IXFH/IXFM58N20 IXFT50N20
IXFT58N20
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
I D = 50A
12 I G = 10mA
10
8
6
4
2
100 Limited by R DS(on)
10
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
1
10
100 200
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4500
4000
3500
C iss
50
40
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
f = 1MHz
V DS = 25V
C oss
C rss
30
20
10
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
V SD - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH58N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH58N20Q | 功能描述:MOSFET 200V 58A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH58N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |
| IXFH5N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH5N100P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
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