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参数资料
| 型号： | IXFH6N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.6 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 6N120
6
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
10
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
5
4
V GS = 10V
9V
8V
7V
8
V GS = 10V
9V
8V
7V
6
3
6V
2
4
6V
1
0
5V
2
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
6
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
3.1
5
4
3
2
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
V GS = 10V
I D = 6A
I D = 3A
1
0
5V
1
0.7
0.4
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
7
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
6
5
4
3
2
1
0
0
1.5
3
4.5
6
7.5
9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2005 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH6N90 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD |
| IXFH70N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 |
| IXFH74N20 | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
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| IXFH75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH6N120P | 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH6N90 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFH70N15 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH70N20Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH70N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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