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参数资料
| 型号： | IXFH74N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH74N20P IXFV74N20P
IXFV74N20PS
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
PLUS220 (IXFV) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 1V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 4 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
30
44
3300
800
190
23
21
60
21
107
24
52
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.31 ° C /W
R thCS
(TO-247, PLUS220)
0.25
° C /W
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
74
180
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
120
0.40
6
200 ns
μ C
A
TO-247 (IXFH) Outline
?P
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
e
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
2.2 2.54
2.2 2.6
.087 .102
.059 .098
b 1.0 1.4
.040 .055
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
S 6.15 BSC
242 BSC
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AA-25.000MALE-T | CRYSTAL 25.000 MHZ 12 PF SMD |
| FXO-PC738-672.162712 | OSC 672.162712 MHZ 3.3V PECL SMD |
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| D7C0311N | SWITCH ROTARY 3P-11POS OPEN FRM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH75N10Q | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH76N06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD |
| IXFH76N06-11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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