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参数资料
| 型号： | IXFH74N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH74N20P IXFV74N20P
IXFV74N20PS
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
180
160
140
120
V GS = 10V
9V
8V
40
100
7V
30
6V
80
20
60
6V
10
0
5V
40
20
0
5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
3.0
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. Junction Temperature
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 74A
40
30
6V
1.8
1.4
I D = 37A
20
10
0
5V
1.0
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. I D
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
4.5
V GS = 10V
70
4.0
3.5
15V -
---
T J = 175oC
60
50
3.0
40
2.5
2.0
1.5
30
20
1.0
0.5
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AA-25.000MALE-T | CRYSTAL 25.000 MHZ 12 PF SMD |
| FXO-PC738-672.162712 | OSC 672.162712 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32778G306K | FILM CAP 30UF 10% 1100V MKP |
| B32686S2223K563 | FILM CAP 0.0220UF 10% 2000V MFP |
| D7C0311N | SWITCH ROTARY 3P-11POS OPEN FRM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH75N10 | 功能描述:MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH75N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH75N10Q | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH76N06 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD |
| IXFH76N06-11 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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