- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18117 > IXFH96N20P (IXYS)MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH96N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFH 96N20P
IXFT 96N20P
IXFV 96N20P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 200 V
= 96 A
≤ 24 m ?
≤ 200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
96
75
A
A
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
225
60
A
A
TO-268 (IXFT)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
1.5
mJ
J
G
S
D (TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
10
600
V/ns
W
PLUS220 (IXFV)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10s
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
D (TAB)
M d
Mounting torque
(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
G = Gate
D = Drain
Weight
TO-220
TO-247
TO-268
4
6
5
g
g
g
S = Source
Features
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Fast Intrinsic Diode
International standard packages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
200
V
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
2.5
5.0
± 100
V
nA
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
25
250
μ A
μ A
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
24
m ?
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99222E(02/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC738-250 | OSC 250 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 5008.2010 | APPLIANCE INLET W/ FLTR 0.5A 25 |
| FXO-HC538-210 | OSC 210 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| FXO-HC538-225 | OSC 225 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| M2T28SA5W03 | SW TOGGLE BAT DPDT SILVER STR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH9N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N65 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH9N80 | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH9N80Q | 功能描述:MOSFET 9 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH9N80S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。