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参数资料
| 型号： | IXFH96N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 96N20P IXFT 96N20P
IXFV 96N20P
160
Fig. 7. Input Adm ittance
80
Fig. 8. Trans conductance
140
120
100
80
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 48A
I G = 10m A
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
15
30
45
Q
G
60 75 90 105 120 135 150
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope rating Ar e a
1000
f = 1MH z
C is s
100
R DS(on) Lim it
T J = 175oC
T C = 25oC
25μs
100μs
1m s
C oss
10
DC
10m s
C rss
100
1
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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