参数资料
型号: IXFK170N10P
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
标准包装: 25
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 170A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 25V
功率 - 最大: 714W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 散装
IXFH170N10P
IXFK170N10P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_170N10P(8S)01-07-10-C
相关PDF资料
PDF描述
IXFK170N10 MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
IXFK180N085 MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA
IXFK180N10 MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
IXFK180N15P MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
IXFK20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFK170N20P 功能描述:MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK170N20T 功能描述:MOSFET 170A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N07 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N085 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N10 功能描述:MOSFET 100V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube