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参数资料
| 型号： | IXFK20N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 570 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 193nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFK20N120P
IXFX20N120P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 1200V
= 20A
≤ 570m Ω
≤ 300ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
TO-264 (IXFK)
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
20
50
10
1
15
780
A
A
A
J
V/ns
W
PLUS247 (IXFX)
(TAB)
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
Features
M d
F C
Weight
Mounting torque
Mounting force
TO-264
PLUS247
(IXFK)
(IXFX)
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Fast intrinsic diode
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
1200
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5
± 200
25
5
V
nA
μ A
mA
Applications:
High Voltage Switched-mode and
resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
570
m Ω
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters
? 2008 IXYS CORPORATION,All rights reserved
DS99854B(04/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| IXFK21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| IXFK220N15P | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
| IXFK220N17T2 | MOSFET N-CH 170V 220A TO-264 |
| IXFK230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK220N15P | 功能描述:MOSFET 220Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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