- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK21N100Q (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK21N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
I D25
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-CLASS
Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg,
High dV/dt, Low t rr
IXFK 21N100Q
IXFX 21N100Q
V DSS = 1000 V
= 21 A
R DS(on) = 0.50 ?
t rr ≤ 250 ns
PLUS 247 TM (IXFX)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
D
(TAB)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
1000
1000
± 20
± 30
V
V
V
V
TO-264 AA (IXFK)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
21
84
21
A
A
A
G = Gate
G
D
S
D = Drain
(TAB)
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
2.5
mJ
J
S = Source
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
? IXYS advanced low Q g process
? Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
? International standard packages
? Low R DS (on)
? Rated for unclamped Inductive load
switching (UIS) rated
M d
Weight
Mounting torque
TO-264
PLUS 247
0.4/6
6
Nm/lb.in.
g
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
TO-264
10
g
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? Switched-mode and resonant-mode power
supplies
? DC choppers
? AC motor control
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1mA
1000
V
? Temperature and lighting controls
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
3
5.5
± 100
V
nA
Advantages
? PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
100
2
0.50
μ A
mA
?
? Space savings
? High power density
Note 1
? 2002 IXYS All rights reserved
DS98677D(10/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK220N15P | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
| IXFK220N17T2 | MOSFET N-CH 170V 220A TO-264 |
| IXFK230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 |
| IXFK240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 |
| IXFK24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK220N15P | 功能描述:MOSFET 220Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK240N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。