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参数资料
| 型号： | IXFK21N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 21N100Q
IXFX 21N100Q
Fig. 1. Output Characteristics at 25 o C
50
Fig. 2. Output Characteristics at 125 o C
30
T J = 25 C
40
O
V GS = 10V
9V
8V
7V
25
20
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
30
20
15
6V
6V
10
10
0
5V
5
0
5V
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
3.0
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(ON) vs. Drain Current
V GS = 10V
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(ON) vs. T J
V GS = 10V
2.5
2.0
T J = 125 O C
2.5
2.0
1.5
I D = 21A
T J = 25 C
1.5
1.0
O
1.0
0.5
I D = 10.5A
0.5
0
5
10
15
20
25
30
0.0
-25
0
25
50
75
100 125 150
I D - Amperes
Fig. 5. Drain Current vs. Case Temperature
24
20
25
20
T J - Degrees C
Fig. 6. Admittance Curves
16
15
12
8
4
10
5
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -40 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
? 2002 IXYS All rights reserved
T C - Degrees C
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK220N15P | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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