- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK220N15P (IXYS)MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK220N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 162nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiperFET TM
N-Channel Enhancement Mode
IXFK220N15P
IXFX220N15P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
150V
220A
9m Ω
200ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-264 (IXFK)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C (Chip Capability)
Leads Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
Maximum Ratings
150
150
± 20
± 30
220
160
600
V
V
V
V
A
A
A
G
D
S
PLUS247 (IXFX)
Tab
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
3
A
J
G
D
S
Tab
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
20
1250
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264)
Mounting Force (PLUS247)
TO-264
PLUS247
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
150
V
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
2.5
4.5 V
± 200 nA
50 μ A
1.5 mA
Power Supplies
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
Uninterrupted Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
9 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100017A(01/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK220N17T2 | MOSFET N-CH 170V 220A TO-264 |
| IXFK230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 |
| IXFK240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 |
| IXFK24N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 |
| IXFK24N90Q | MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK240N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFK24N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 24A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK24N100_07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFETTM Power MOSFETs |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。