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参数资料
| 型号： | IXFK220N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 162nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK220N15P
IXFX220N15P
220
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
200
180
160
V GS = 15V
10V
9V
8V
300
250
V GS = 15V
10V
9V
140
120
200
8V
100
7V
150
7V
80
60
40
6V
100
50
6V
20
5V
0
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
220
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 110A Value vs.
Junction Temperature
200
180
V GS = 15V
10V
9V
2.8
V GS = 10V
8V
160
140
2.4
I D = 220A
120
7V
2.0
I D = 110A
100
80
60
6V
1.6
1.2
40
20
0
5V
0.8
0.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 110A Value vs.
Drain Current
V GS = 10V
180
160
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
External Lead Current Limit
2.8
15V - - - - -
2.4
T J = 175oC
140
120
100
2.0
80
1.6
60
1.2
0.8
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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