参数资料
型号: IXFK20N120P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
标准包装: 25
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 570 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 193nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 11100pF @ 25V
功率 - 最大: 780W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXFK20N120P
IXFX20N120P
20
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
40
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
18
V GS = 10V
9V
35
V GS = 10V
9V
16
30
14
12
10
8V
25
20
8
15
8V
6
10
4
2
0
7V
5
0
7V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
20
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 10A Value
vs. Junction Temperature
18
16
14
12
V GS = 10V
8V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 20A
I D = 10A
10
8
6
4
2
0
7V
6V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 10A Value
vs. Drain Current
22
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.2
V GS = 10V
T J = 125oC
20
18
2.0
1.8
16
14
12
1.6
10
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION,All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述
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