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参数资料
| 型号： | IXFK210N17T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 210A 170V TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 170V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 210A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 285nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK210N17T
IXFX210N17T
220
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
200
180
V GS = 10V
8V
7V
300
V GS = 10V
8V
7V
160
140
250
120
6V
200
100
80
60
150
100
6V
40
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
220
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 105A Value
vs. Junction Temperature
200
180
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
160
2.2
I D = 210A
140
120
100
80
60
6V
5V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 105A
1.0
40
20
0
0.8
0.6
0.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 105A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.4
3.2
V GS = 10V
180
160
External Lead Current Limit
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
T J = 175oC
T J = 25oC
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF:F_210N17T(9W)4-02-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC735R-133 | OSC 133 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32656A8474J000 | CAP FILM 0.47UF 850VDC RADIAL |
| FXO-LC735R-133.3 | OSC 133.3 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| DC12.3202.003 | MOD PWR 4A MED FILTER 1PL QC PNL |
| FXO-LC735R-148.5 | OSC 148.5 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK220N15P | 功能描述:MOSFET 220Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK220N17T2 | 功能描述:MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK230N20T | 功能描述:MOSFET 230A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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