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参数资料
| 型号： | IXFK210N17T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 210A 170V TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 170V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 210A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 285nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 18800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK210N17T
IXFX210N17T
240
Fig. 7. Input Admittance
240
Fig. 8. Transconductance
220
200
180
160
220
200
180
160
T J = - 40oC
25oC
140
T J = 150oC
140
120
100
80
60
40
20
0
25oC
- 40oC
120
100
80
60
40
20
0
150oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 85V
I D = 105A
I G = 10mA
250
200
150
7
6
5
4
100
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
50
1
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
25
50
75
100
125 150
175
200 225
250 275
300
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
Ciss
25μs
10,000
Coss
100
100μs
1,000
100
Crss
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC735R-133 | OSC 133 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32656A8474J000 | CAP FILM 0.47UF 850VDC RADIAL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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