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参数资料
| 型号： | IXFK34N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 34N80
IXFX 34N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
PLUS247 TM (IXFX) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
20
35
S
C iss
7500
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External),
920
220
45
45
100
40
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
270
nC
Min. Max.
Min. Max.
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
140
nC
nC
A
A 1
A 2
b
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
R thJC
R thCK
0.15
0.22
K/W
K/W
b 1
b 2
C
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
L
L1
Q
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
Source-Drain Diode
Characteristic Values
R
4.32 4.83
.170 .190
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
I S
I SM
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive;
min.
typ.
max.
34
136
A
A
TO-264 AA Outline
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.4
10
1.5
250
V
ns
m C
A
Note: 1. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
2. See characterization curves in datasheet IXFN34N80.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 |
| IXFK36N60P | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 |
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA |
| IXFK40N90P | MOSFET N-CH TO-264 |
| IXFK420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK35N50 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK35N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK360N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK360N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFK36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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