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参数资料
| 型号： | IXFK48N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
Q-CLASS
Single MOSFET Die
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Qg
High dV/dt, Low t rr
IXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 m ?
IXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 m ?
t rr ≤ 250 ns
PLUS 247 TM (IXFX)
Symbol
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
Maximum Ratings
500 V
500 V
± 20 V
± 30 V
G
D
TO-264 AA (IXFK)
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
44N50
48N50
44N50
48N50
44
48
176
192
A
A
A
A
G
D
S
(TAB)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
48
60
2.5
A
mJ
J
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
15
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low R DS (on)
Rated for unclamped Inductive load
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque TO-264
PLUS 247
TO-264
0.4/6
300
° C
Nm/lb.in.
6
g
10
g
switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Applications
DC-DC converters
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250uA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
500 V
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Note 1
T J = 125 ° C
44N50
48N50
2.0
4.0 V
± 100 nA
100 μ A
2 mA
120 m ?
100 m ?
Temperature and lighting controls
Advantages
PLUS 247 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98612D(08/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
| IXFK48N55 | MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA |
| IXFK48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 |
| IXFK55N50 | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
| IXFK60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK48N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
| IXFK48N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK48N55 | 功能描述:MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXFK48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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