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参数资料
| 型号： | IXFK55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFET
Single Die MOSFET
IXFK 55N50
IXFX 55N50
IXFN 55N50
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 55 A
= 90m ?
≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS247(IXFX)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
500
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
dv/dt
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
± 20
± 30
55
220
55
60
10
V
V
A
A
A
mJ
V/ns
G
C
E
TO-264 AA (IXFK)
(TAB)
P D
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
625
W
G
D
S
D (TAB)
E153432
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
S
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s (IXFK, IXFX)
300
° C
G
M d
Mounting torque
Terminal leads
(IXFK, IXFX)
(IXFN)
1.13/10 Nm/lb.in.
1.13/10 Nm/lb.in.
S
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
PLUS247
TO-264
SOT-227B
(IXFN)
t = 1minute
t=1s
2500
3000
5
10
30
V~
V~
g
g
g
D
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS(th) V DS = V GS , I D = 8 mA
I GSS V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
2.5 4.5 V
± 200 nA
? International standard packages
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
2
μ A
mA
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
90
m ?
Advantages
? PLUS247 package for clip or spring
bar mounting
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS97502G(11/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
| IXFK64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 |
| IXFK64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 |
| IXFK73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264 |
| IXFK73N30 | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK55N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK62N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
| IXFK64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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