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参数资料
| 型号： | IXFK73N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 73A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFK 73 N 30
IXFN 73 N 30
300 V 73 A
300 V 73 A
t rr ≤ 200 ns
45 m ?
45 m ?
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
TO-264 AA (IXFK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
IXFK IXFN
V DSS
T J = 25°C to 150°C
300
300
V
V DGR
V GS
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1 M ?
Continuous
300
±20
300
±20
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25°C
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
±30
73
292
40
30
±30
73
292
40
30
V
A
A
A
mJ
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
S
G
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150°C, R G = 2 W
5
5
V/ns
D
S
P D
T C = 25°C
500
520
W
G = Gate
D = Drain
T J
-55 ... +150
°C
S = Source
TAB = Drain
T JM
T stg
150
-55 ... +150
°C
°C
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
T L
V ISOL
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
300
-
-
-
2500
3000
°C
V~
V~
l
l
l
International standard packages
JEDEC TO-264 AA, epoxy meet
UL 94 V-0, flammability classification
miniBLOC with Aluminium nitride
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
0.9/6
-
10
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
30 g
l
l
l
isolation
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
l
Low package inductance
Fast intrinsic Rectifier
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
l
l
l
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ±20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 V DSS
T J = 25°C
300
2
4
±200
400
V
V
nA
uA
l
l
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
Temperature and lighting controls
Low voltage relays
V GS = 0 V
T J = 125°C
2
mA
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
45
m ?
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
92805J (11/01)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK80N20 | MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA |
| IXFK80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264 |
| IXFK88N20Q | MOSFET N-CH 200V 88A TO-264 |
| IXFK90N20 | MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA |
| IXFK90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK73N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264 |
| IXFK73N30Q | 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK74N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK78N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA |
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