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参数资料
| 型号： | IXFK80N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary data
IXFK72N20
IXFK80N20
200 V 72 A 35 m W
200 V 80 A 30 m W
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 AA
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
200
200
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
72N20
80N20
± 20
± 30
72
80
V
V
A
A
G = Gate
S = Source
G
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
I DM
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
72N20
80N20
288
320
A
A
I AR
E AR
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
74
45
5
A
mJ
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300 -
0.9/6
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
Features
? International standard packages
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic rectifier
Weight
10
g
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
?
?
?
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
4
± 100
200
1
V
V
nA
m A
mA
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
V GS = 10 V,I D = 0.5 ? I D25
R DS(on)
72N20
80N20
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
35
30
m W
m W
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
97523C (07/00)
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264 |
| IXFK88N20Q | MOSFET N-CH 200V 88A TO-264 |
| IXFK90N20 | MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA |
| IXFK90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A TO-264 |
| IXFL100N50P | MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD |
| IXFK80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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