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参数资料
| 型号： | IXFK80N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK72N20
IXFK80N20
200
160
T J = 25 O C
V GS = 10V
9V
8V
200
160
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
120
120
7V
80
40
6V
5V
80
40
6V
5V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
Figure 1. Output Characteristics at 25 C
3.2
V GS = 10V
V DS - Volts
O
V DS - Volts
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
2.4
V GS = 10V
2.8
2.4
2.0
1.6
T j = 125 0 C
T j =25 0 C
2.0
1.6
1.2
I D = 80A
I D = 40A
1.2
0.8
0
50
100
150
200
250
0.8
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
Figure 3. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value
100
T J - Degrees C
Figure 4. R DS(on) normalized to 0.5 I D25 value
160
T J = 25 C
80
IXFK80N20
120
o
T J = 125 o C
60
IXFK72N20
80
40
20
40
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
4
6
8
10
T C - Degrees C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Figure 6. Admittance Curves
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD |
| IXFK80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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