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参数资料
| 型号： | IXFK73N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 73A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 73N30
IXFN 73N30
TO-264 AA Outline
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
50
9000
1500
580
30
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 1 ? (External),
80
100
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
t f
50
ns
A1
A2
2.54
2.00
2.89
2.10
.100 .114
.079 .083
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
360
60
180
nC
nC
nC
b
b1
b2
c
D
E
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
e
5.46
BSC
.215 BSC
R thJC
R thCK
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.15
0.05
0.25
0.24
K/W
K/W
K/W
K/W
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
Source-Drain Diode
Characteristic Values
R1
S
T
1.78
6.04
1.57
2.29
6.30
1.83
.070 .090
.238 .248
.062 .072
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
miniBLOC, SOT-227 B
Symbol
I S
I SM
V SD
Test Conditions
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
min.
typ.
max.
73
292
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
2
40
200
ns
μ C
A
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IXFK90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK73N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-264 |
| IXFK73N30Q | 功能描述:MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK74N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK78N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA |
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