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参数资料
| 型号： | IXFK55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK55N50
IXFX55N50
IXFN55N50
12
Figure 7. Gate Charge
10000
Figure 8. Capacitance Curves
10
V DS = 250V
Ciss
f = 1MHz
I D = 27.5A
8
6
1000
Coss
4
Crss
2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
V DS - Volts
Figure 9.
Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
100
80
60
40
T J = 125 O C
20
T J = 25 O C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
1.00
IXFK55N50/IXFX55N50
0.10
0.01
IXFN55N50
0.00
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
| IXFK64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 |
| IXFK64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 |
| IXFK73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264 |
| IXFK73N30 | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK55N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK62N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
| IXFK64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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