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参数资料
| 型号： | IXFK55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK55N50
IXFX55N50
IXFN55N50
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
45
9400
1280
460
45
60
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G
= 1 ? (External),
120
45
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
330
55
155
nC
nC
nC
A1
A2
b
b1
b2
c
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
D
25.91 26.16
1.020 1.030
R thJC
0.20
K/W
E
e
19.81 19.96
5.46 BSC
.780 .786
.215 BSC
R thCK
R thCK
IXFK, IXFX
0.15
0.05
K/W
K/W
J
K
L
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
.000 .010
.000 .010
.800 .820
L1
P
Q
Q1
R
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
Source-Drain Diode
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
R1
S
T
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.070 .090
.238 .248
.062 .072
I S
I SM
V GS = 0
Repetitive;
pulse width limited by T JM
55
220
A
A
miniBLOC (SOT-227B) Outline
V SD
t rr
I F = 100 A, V GS = 0 V
Note 1
1.5
250
V
ns
Q RM
I RM
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
μ C
A
M4 screws (4x) supplied
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Dim.
A
B
Millimeter
Min. Max.
31.50
31.88
7.80
8.20
Min.
1.240
0.307
Inches
Max.
1.255
0.323
PLUS247 Outline
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
Terminals:
1 - Gate
2 - Collector
R
S
T
U
3.94
4.72
24.59
-0.05
4.42
4.85
25.07
0.1
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.174
0.191
0.987
0.004
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
| IXFK64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 |
| IXFK64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 |
| IXFK73N30Q | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264 |
| IXFK73N30 | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK55N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N25Q | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.047 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK60N55Q2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK62N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
| IXFK64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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