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参数资料
| 型号： | IXFK48N55 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 48N55
IXFX 48N55
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
PLUS247 TM (IXFX) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
30
40
S
C iss
8900
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External),
1000
330
42
55
110
45
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
330
nC
Min. Max.
Min. Max.
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
60
65
0.15
0.22
nC
nC
K/W
K/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
E
e
L
L1
Q
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
Source-Drain Diode
Characteristic Values
R
4.32 4.83
.170 .190
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-264 AA Outline
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
48
192
A
A
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
1.4
8
1.3
250
V
ns
m C
A
Dim.
Millimeter
Inches
Note: 1. Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
A
Min. Max.
4.82 5.13
Min. Max.
.190 .202
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK48N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 |
| IXFK55N50 | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA |
| IXFK60N25Q | MOSFET N-CH 250V 60A TO-264AA |
| IXFK64N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 |
| IXFK64N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK48N60P | 功能描述:MOSFET 600V 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK48N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK50N50 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK520N075T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK52N30 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-264AA |
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