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参数资料
| 型号： | IXFK60N55Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 60A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 60N55Q2
IXFX 60N55Q2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
PLUS 247 TM Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
30
44
7300
1150
340
22
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
14
ns
t d(off)
t f
R G = 1.0 ? (External),
57
9
ns
ns
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Q g(on)
200
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
42
100
nC
nC
A
A 1
A 2
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
.190 .205
.090 .100
.075 .085
R thJC
R thCK
TO-264
0.15
0.17
K/W
K/W
b
b 1
b 2
C
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
L
L1
Q
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
Source-Drain Diode
Characteristic Values
R
4.32 4.83
.170 .190
Symbol
I S
Test Conditions
V GS = 0 V
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
60 A
TO-264 AA Outline
I SM
V SD
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
240
1.5
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1
10
250
ns
μ C
A
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
Inches
Min.
Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82801A304A60 | TRANSF CURRENT SENSE 295UH SMD |
| IXTK110N20L2 | MOSFET N-CH 200V 110A TO-264 |
| B82801C1265A150 | TRANSF CURRENT SENSE 12.6MH SMD |
| GLEB01C | SWITCH TOP ROLLR PLNGR SNAP SPDT |
| B82801A743A30 | TRANSF CURRENT SENSE 74UH SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK62N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
| IXFK64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N60P | 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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