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参数资料
| 型号： | IXFK60N55Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 60A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 88 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 60N55Q2
IXFX 60N55Q2
60
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
140
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
50
V GS = 10V
8V
120
V GS = 10V
8V
7V
40
100
30
80
7V
20
10
0
6V
5V
60
40
20
0
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
60
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
Value vs. Junction Te m perature
50
40
30
20
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
V GS = 10V
I D = 60A
I D = 30A
1
10
0.7
0
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
2.8
0.5 I D25 Value vs. I D
70
Tem pe rature
2.6
2.4
2.2
2
V GS = 10V
T J = 125oC
60
50
40
1.8
1.6
1.4
30
20
1.2
1
0.8
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2004 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82801A304A60 | TRANSF CURRENT SENSE 295UH SMD |
| IXTK110N20L2 | MOSFET N-CH 200V 110A TO-264 |
| B82801C1265A150 | TRANSF CURRENT SENSE 12.6MH SMD |
| GLEB01C | SWITCH TOP ROLLR PLNGR SNAP SPDT |
| B82801A743A30 | TRANSF CURRENT SENSE 74UH SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK62N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
| IXFK64N50P | 功能描述:MOSFET 500V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N60P | 功能描述:MOSFET 600V 64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK64N60P3 | 功能描述:MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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