- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFL44N60 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFL44N60 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFL 44N60
V DSS =
I D25 =
R DS(on) =
t rr ≤ 250 ns
600 V
41 A
130 m ?
Preliminary data sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS-264 TM
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
600
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
600
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
(Backside)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
41
176
44
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s
60
3
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
8
g
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
power supplies
DC choppers
AC motor control
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
600
V
Advantages
V GH(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.5
4.5 V
± 200 nA
100 μ A
2 mA
Easy assembly
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 1, 2
130 m ?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99092(10/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
| IXFL60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
| IXFL60N80P | MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 |
| IXFL70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 |
| IXFL82N60P | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.165W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL450 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254 |
| IXFL55N50 | 功能描述:MOSFET 55 Amps 500V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL60N60 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL60N80P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。