- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFL44N80 (IXYS)MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFL44N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL 44N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS 264 OUTLINE
g fs
V DS = 15 V; I D = I T
Note 2
32
50
S
C iss
10000
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
1300
330
35
48
100
24
380
70
170
0.05
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.225 K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.2
8
44
176
1.3
250
A
A
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3. Test current I T = 22A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
| IXFL60N80P | MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 |
| IXFL70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 |
| IXFL82N60P | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 |
| IXFM24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-204AE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL450 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254 |
| IXFL55N50 | 功能描述:MOSFET 55 Amps 500V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL60N60 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V 0.08W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL60N80P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL70N60Q2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。