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参数资料
| 型号： | IXFN32N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 400nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 32N120
32
Fig. 1. Output Characteris tics
@ 25 De g. C
V GS = 10V
60
Fig. 2. Exte nded Output Characteris tics
@ 25 de g. C
V GS = 10V
28
5V
50
6V
24
20
16
12
8
40
30
20
5V
4
0
4V
10
0
4V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
32
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteris tics
@ 125 Deg. C
2.6
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs .
Junction Tem perature
28
V GS = 10V
5V
2.4
V GS = 10V
2.2
24
2
20
16
1.8
1.6
1.4
I D = 32A
I D = 16A
12
8
4
0
4V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0
4
8
12
16
20
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
35
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs . Case
Te m perature
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
30
25
20
15
10
5
0
0
8
16
24
32
40
48
56
64
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
? 2003 IXYS All rights reserved
I D - Amperes
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN340N06 | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B |
| IXFN340N07 | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B |
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| IXFN360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN32N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N60 | 功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN32N80P | 功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N06 | 功能描述:MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN340N07 | 功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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