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参数资料
| 型号： | IXFN40N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 210 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 695W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
IXFN40N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
<
<
900V
33A
230m Ω
300ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
miniBLOC
E153432
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
900
900
± 30
± 40
V
V
V
V
G
S
D
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
33
80
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS, t = 1minute
I ISOL ≤ 1mA, t = 1s
Mounting Torque for Base Plate
Terminal Connection Torque
20
2.5
15
695
-55 to +150
150
-55 to +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source Terminal S can be used as
the Source Terminal or the Kelvin Source
(Gate Return) Terminal.
Features
International Standard Package
Low Intrinsic Gate Resistance
miniBLOC with Aluminum Nitride
Isolation
Low R DS(on) and Q G
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Advantages
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 1mA
900
3.5
6.5
V
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 20A, Note 1
T J = 125 ° C
± 200 nA
50 μ A
3.5 mA
230 m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100062A(10/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
| IXFN44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 |
| IXFN44N50Q | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
| IXFN44N50U3 | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN43N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N50 | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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