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参数资料
| 型号： | IXFN40N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 210 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 695W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN40N90P
40
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
35
30
25
9V
8V
80
70
60
9V
50
20
15
40
8V
10
7V
30
20
5
0
6V
10
0
7V
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
30
40
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 20A Value vs.
Junction Temperature
35
8V
2.8
V GS = 10V
30
25
2.4
2.0
I D = 40A
20
7V
I D = 20A
1.6
15
10
5
0
6V
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 20A Value vs.
Drain Current
36
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
32
28
24
20
1.8
16
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
12
8
4
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
| IXFN44N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 |
| IXFN44N50Q | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
| IXFN44N50U3 | MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN43N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN44N50 | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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