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参数资料
| 型号： | IXFN73N30Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 73A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Q-Class
IXFN 73N30Q
V DSS
I D25
R DS(on)
= 300 V
= 73 A
= 45 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
Preliminary data sheet
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
300
300
± 30
± 40
73
292
73
V
V
V
V
A
A
A
E153432
G
G = Gate
S = Source
S
S
D
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
60
2.5
10
500
-55 to +150
150
-55 to +150
2500
3000
1.5/13
1.5/13
30
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? IXYS advanced low Q g process
? Low gate charge and capacitances
- easier to drive
-faster switching
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low R DS (on)
? Fast intrinsic diode
? International standard package
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation for low thermal resistance
? Low terminal inductance (<10 nH) and
stray capacitance to heatsink (<35pf)
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 1 mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
300 V
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
2.0
4.0
± 100
V
nA
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
25
2
45
μ A
mA
m ?
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2004 IXYS All rights reserved
DS98742B(1/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN80N48 | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B |
| IXFN80N50P | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 |
| IXFN80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 |
| IXFN80N50 | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| IXFN80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN75N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
| IXFN80N48 | 功能描述:MOSFET 480V 80A 45Rds SNGL DIE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50 | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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