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参数资料
| 型号： | IXFN80N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 66A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXFN 80N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 66 A
≤ 65 m ?
≤ 200 ns
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Transient
Continuous
500
500
± 40
± 30
V
V
V
V
E153432
S
G
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
66
200
80
80
3.0
10
A
A
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
S
D
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
Either source tab S can be used forsource
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
W
° C
° C
° C
° C
current or Kelvin gate return.
Fast intrinsic diode
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
M d
50/60 Hz; I ISOL ≤ 1 mA
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
2500 V~
1.5/13 Nm/ib.in.
1.5/13 Nm/ib.in.
Features
l
l
l
Weight
30
g
l
rated
UL recognized.
l
Isolated mounting base
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 500 μ A
500
V
l
l
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8 mA
3.0
5.0
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 200
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
1
μ A
mA
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
65
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99477E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 |
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| IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFN82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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