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参数资料
| 型号： | IXFN80N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 66A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 80N50P
Fig. 1. Output Characte r is tics
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte ris tics
80
70
60
50
40
@ 25 ° C
V GS = 10V
8V
7V
180
160
140
120
100
@ 25 ° C
V GS = 10V
8V
7V
80
30
6V
60
20
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
80
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 125 ° C
3.4
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 40A
V alue vs . Junction Te m pe rature
70
60
50
40
30
V GS = 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
V GS = 10V
I D = 80A
20
10
0
5V
1.3
1
0.7
0.4
I D = 40A
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to I D = 40A
V alue vs . Drain Curr e nt
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Cur r e nt vs . Cas e
T e m p e r atur e
3
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125 ° C
60
50
40
2
1.8
1.6
1.4
30
20
1.2
1
0.8
T J = 25 ° C
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
I D - A mperes
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 |
| IXFN80N50 | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| IXFN80N60P3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
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| IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN82N60P | 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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