参数资料
型号: IXFN80N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
产品目录绘图: SOT-227, SOT-227B miniBLOC
标准包装: 10
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 66A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12700pF @ 25V
功率 - 最大: 700W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
IXFN 80N50P
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al Resistance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
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IXFN80N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN80N60P3 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN82N60P 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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