- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录456 > IXFN82N60Q3 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN82N60Q3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 66A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiperFET TM
Power MOSFET
Q3-Class
IXFN82N60Q3
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
600V
66A
75m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
miniBLOC
E153432
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
600
600
± 30
± 40
V
V
V
V
G
S
D
S
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
66
240
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS, t = 1minute
I ISOL ≤ 1mA, t = 1s
Mounting Torque for Base Plate
Terminal Connection Torque
82
4
50
960
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Either Source Terminal S can be used as
the Source Terminal or the Kelvin Source
(Gate Return) Terminal.
Features
International Standard Package
Low Intrinsic Gate Resistance
miniBLOC with Aluminum Nitride
Isolation
Low Package Inductance
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on) and Q G
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 41A, Note 1
T J = 125 ° C
600
3.5
V
6.5 V
± 200 nA
50 μ A
3 mA
75 m Ω
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100340(05/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B |
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
| IXFP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| IXFP3N50PM | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN90N30 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP05N100M | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage HiperFET |
| IXFP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP10N60P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。