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参数资料
| 型号： | IXFN90N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
IXFN 90N30
V DSS
I D25
R DS(on)
= 300 V
= 90 A
= 33 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary Data
G
S
D
S
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
300
300
± 20
± 30
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
90
360
90
A
A
A
D
S
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T J
V ISOL
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
64
3
5
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
2500
3000
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
V~
V~
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? International standard package
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
rated
? Low package inductance
Weight
30
g
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
300
V
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GH(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2
4
± 100
100
2
V
nA
μ A
mA
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
33
m ?
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
DS98540A(12/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
| IXFP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| IXFP3N50PM | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 |
| IXFP5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP05N100M | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage HiperFET |
| IXFP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP10N60P | 功能描述:MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP110N15T2 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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