- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录456 > IXFP5N100P (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFP5N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
IXFA5N100P
IXFH5N100P
IXFP5N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 5A
≤ 2.8 Ω
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
TO-263 (I XFA )
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
S
(TAB)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
1000
1000
± 30
V
V
V
TO-247 (I XFH )
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
5
10
V
A
A
G
D
S
(TAB)
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
5
300
10
250
A
mJ
V/ns
W
TO-220 (I XFP )
T J
T JM
-55 ... +150
150
° C
° C
G
DS
(TAB)
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062) from case for 10s
Plastic body for 10s
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
TO-247
(TO-220,TO-247)
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International standard packages
Dynamic dv/dt Rating
Avalanche Rated
Low R DS(ON) , rugged Polar TM process
Low Q G
Low Drain-to-Tab capacitance
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000
V
Advantages
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
6.0
V
Applications:
I GSS
I DSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 100 nA
10 μ A
750 μ A
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
2.8
Ω
power supplies
Uninterrupted power supplies
AC motor control
High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99923(07/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP7N80PM | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| IXFP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| IXFR100N25 | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP5N100PM | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220 |
| IXFP5N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP5N50PM | 功能描述:MOSFET 3.2 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP6N120P | 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP76N15T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。