- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录456 > IXFP5N100P (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFP5N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1830pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFA5N100P IXFH5N100P
IXFP5N100P
5.0
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
8
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
4.5
4.0
V GS = 10V
8V
7
V GS = 10V
9V
8V
6
3.5
3.0
7V
5
2.5
2.0
1.5
4
3
7V
1.0
0.5
0.0
6V
5V
2
1
0
6V
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
5.0
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 2.5A Value
vs. Junction Temperature
4.5
4.0
V GS = 10V
8V
2.4
V GS = 10V
3.5
7V
2.0
I D = 5A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
6V
5V
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 2.5A
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 2.5A Value
vs. Drain Current
5.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
5.0
4.5
2.2
4.0
2.0
1.8
1.6
1.4
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP7N80PM | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| IXFP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| IXFR100N25 | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP5N100PM | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220 |
| IXFP5N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP5N50PM | 功能描述:MOSFET 3.2 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP6N120P | 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP76N15T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。