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参数资料
| 型号： | IXFR100N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Backside)
IXFR 100N25
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250 V
= 87 A
= 27 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
250
250
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
Isolated backside*
I D25
T C
= 25 ° C (MOSFET chip capability)
87
A
I L(RMS)
I DM
I AR
T C
T C
T C
= External lead current limit
= 25 ° C, Note 1
= 25 ° C
75
400
100
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
l
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
64
3
5
400
mJ
J
V/ns
W
* Patent pending
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
T J
T JM
T stg
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
° C
° C
° C
° C
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
l
l
l
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
l
Fast intrinsic Rectifier
l
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Applications
DC-DC converters
min.
typ.
max.
l
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
250
2.0
V
4 V
± 200 nA
l
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
l
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100 μ A
2 mA
Advantages
Easy assembly
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 2, 3
27 m ?
l
l
Space savings
High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
98840 (5/01)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 |
| IXFR140N20P | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 |
| IXFR140N30P | MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 |
| IXFR150N15 | MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR102N30P | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR10N100F | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | 功能描述:MOSFET MOSFET w/FAST Intrinsic Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 105A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR12N100 | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HiPerFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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