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参数资料
| 型号： | IXFR140N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFR140N30P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
300V
70A
26m Ω
200ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
ISOPLUS247 (IXFR)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
300
300
± 20
± 30
V
V
V
V
E153432
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
70
300
70
A
A
A
Isolated Tab
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
5
20
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting force
300
260
2500
3000
20..120 / 4.5..27
5
° C
° C
V~
V~
N/lb.
g
UL recognized package
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
300 V
Advantages
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
3.0
5.0
V
High power density
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 70A, Note 1
T J = 125 ° C
20
25 μ A
1 mA
26 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99570F(5/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR150N15 | MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 |
| IXFR15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 |
| IXFR15N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR180N06 | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 |
| IXFR180N085 | MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR14N100Q2 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR150N15 | 功能描述:MOSFET 105 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N100P | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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