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参数资料
| 型号： | IXFR140N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR140N30P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20V, I D = 70A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 70A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 70A
50
90
14.8
1830
55
30
30
100
20
185
72
60
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.42 ° C/W
R thCS
Source-Drain Diode
0.15
° C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = 70A, V GS = 0V, Note 1
140
560
1.3
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
0.6
6.0
200 ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR150N15 | MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 |
| IXFR15N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 |
| IXFR15N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR180N06 | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 |
| IXFR180N085 | MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR14N100Q2 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR150N15 | 功能描述:MOSFET 105 Amps 150V 0.0125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N100P | 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR15N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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