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参数资料
| 型号： | IXFR180N06 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 420nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
I D25
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Backside)
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IXFR 180N06
V DSS = 60 V
= 180 A
R DS(on) = 5 m ?
t êê ≤ 200ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
q g Z=OR ° `= í?= NRM ° `
q g Z=OR ° `=í?=NRM ° `X=o dp =Z=N=j ?
SM
SM
s
s
V GS
V GSM
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E AR
E AS
dv/dt
P D
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T stg
T L
V ISOL
Weight
q ` Z= OR ° `
q ` Z= OR ° `
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q g ≤ =NRM ° `I=o d =Z=O= ?
q ` Z= OR ° `
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SM
P
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RSM
JRR=KKK=HNRM
NRM
JRR=KKK=HNRM
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Features
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p?áí?üá??=ErfpF
c~?í=á?íêá??á?=oé?íá?áéê
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Eq g = Z= OR ° `I= ì??é??= ?íüéê?á?é= ?éé?á?áé?F
Applications
a`Ja`=????éêíéê?
min.
typ.
max.
_~ííéêó=?ü~ê?éê?
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 8mA
========s dp ==Z= ± OM=sI=s ap =Z=M
========s ap ==Z==s app
========s dp=== Z=M=s
========s dp ==Z=NM=sI=f a =Z=f q
q g ==Z===OR ° `
q g ==Z=NOR ° `
60
2.0
V
4.0 V
± NMM=?^
NMM== μ ^
O=?^
R=? ?
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Advantages
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VUTRP= ENMLMMF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFR180N07 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR180N085 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR180N10 | 功能描述:MOSFET 100V 165A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR180N15P | 功能描述:MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR1871 | 制造商:Ixys Corporation 功能描述:IXFR1871 |
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