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参数资料
| 型号： | IXFR180N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET IXFR 180N15P
Power MOSFET
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
150 V
100 A
13 m ?
200 ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS247 (IXFR)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
150
150
± 20
V
V
V
E153432
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 30
100
V
A
G
D
S
ISOLATED TAB
I D(RMS)
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
External Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
75
380
60
100
4
10
A
A
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
l
International standard isolated
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
F d
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting force
300
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
2500
20..120 / 4.5..26
5
W
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb
g
l
l
l
l
l
package
UL recognized package
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
150
V
l
l
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.5
5.0
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS, V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T , Note 1
T J = 150 ° C
25
1.5
13
μ A
mA
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99242(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR18N90P | MOSFET NCH 900V 10.5A ISOPLUS247 |
| IXFR200N10P | MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 |
| IXFR20N100P | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 |
| IXFR20N120P | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR20N80P | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR1871 | 制造商:Ixys Corporation 功能描述:IXFR1871 |
| IXFR18N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR200N10P | 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR200N10P_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET |
| IXFR20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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