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参数资料
| 型号： | IXFR18N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET NCH 900V 10.5A ISOPLUS247 |
| 特色产品： | 900V Polar HiPerFET? Power MOSFETs |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 660 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFR18N90P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
900V
10.5A
660m Ω
300ns
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS247 TM
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
900
900
V
V
E153432
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
Isolated Tab
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
10.5
36
A
A
G = Gate
S = Source
D
= Drain
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
9
800
A
mJ
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
Maximum Lead Temperature for Soldering
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting force
15
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb.
g
Fearures
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V ~ Electrical Isolation
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
DC-DC Converters
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
Leaser Drivers
BV DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
900
V
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 100
V
nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 9A, Note 1
T J = 125 ° C
25 μ A
1.5 mA
660 m Ω
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100058A(03/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR200N10P | MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 |
| IXFR20N100P | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 |
| IXFR20N120P | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR20N80P | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
| IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR200N10P | 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR200N10P_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET |
| IXFR20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR20N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR20N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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